Datasheet ON Semiconductor MOC8204SM — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieMOC8204M
ArtikelnummerMOC8204SM

6-poliger DIP-Hochspannungs-Fototransistor-Ausgangsoptokoppler

Datenblätter

Datasheet 4N38M, H11D1M, H11D3M, MOC8204M
PDF, 350 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Jul 28, 2025, Seiten: 10
6-pin DIP High Voltage Phototransistor Output Optocoupler
Auszug aus dem Dokument

Detaillierte Beschreibung

Die Bausteine 4N38M, H11D1M, H11D3M und MOC8204M sind optisch gekoppelte Optoisolatoren vom Fototransistortyp.

Eine Infrarot-Emitterdiode aus Galliumarsenid ist mit einem Hochspannungs-NPN-Silizium-Fototransistor gekoppelt. Das Gerät wird in einem standardmäßigen sechspoligen Dual-In-Line-Gehäuse aus Kunststoff geliefert.

Andere Optionen

4N38M H11D1M H11D3M

Modellreihe

Serie: MOC8204M (3)

Herstellerklassifikation

  • Interfaces > Phototransistor Optocouplers > Phototransistor Output - DC Sensing Input Optocouplers