Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Datenblatt
| Hersteller | Central Semiconductor | 
| Serie | CDM22010-650 | 
| Artikelnummer | CDM22010-650 | 

10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom
Datenblätter
Datasheet CDM22010-650
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SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
Auszug aus dem Dokument
Spice Models
Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Aug 18, 2014
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Status
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) | 
Parameter
| @ID | 5A | 
| @VGS | 10V | 
| Description | N-Channel Enhancement Mode High Current | 
| ECCN Code | EAR99 | 
| HTS Code | 8541.29.0080 | 
| ID max | 10A | 
| Marking Code | CEN N CDM10 -650 D/C | 
| Mounting | Through-Hole | 
| PD max | 2W | 
| Package | TO-220 | 
| Polarity | N-CH | 
| Qg typ | 20nc | 
| VDS max | 650V | 
| VGS max | 30V | 
| rDS(ON) max | 1Ω | 
Modellreihe
Serie: CDM22010-650 (2)
- CDM22010-650 CDM22010-650 SL
Herstellerklassifikation
- MOSFETs & JFETs > MOSFETs
Andere Namen:
CDM22010650, CDM22010 650