Datasheet ON Semiconductor MBT3946DW1T1 — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieMBT3946DW1T1

Bipolarer NPN-PNP-Transistor

Datenblätter

Datasheet MBT3946DW1T1G, SMBT3946DW1T1G
PDF, 251 Kb, Sprache: en, Revision: 7, Datei hochgeladen: May 24, 2022, Seiten: 13
Complementary General Purpose Transistor
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Der NPN-PNP-Bipolartransistor ist ein Ableger unseres beliebten dreiadrigen SOT-23/SOT-323-Bausteins.

Er ist für Allzweck-Verstärkeranwendungen ausgelegt und in dem sechsadrigen SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht. Durch die Unterbringung von zwei diskreten Geräten in einem Gehäuse ist dieses Gerät ideal für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen der Platz auf der Platine knapp ist.

Status

MBT3946DW1T1MBT3946DW1T1GMBT3946DW1T2GSMBT3946DW1T1G
Lifecycle StatusObsolete (Manufacturer has discontinued the production of the device)Active (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

Verpackung

MBT3946DW1T1MBT3946DW1T1GMBT3946DW1T2GSMBT3946DW1T1G
PackageSC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
Package Code419B-02419B-02419B-02419B-02

Öko-Plan

MBT3946DW1T1MBT3946DW1T1GMBT3946DW1T2GSMBT3946DW1T1G
CompliancePb-free | Halide freePb-free | Halide freeAEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free

Andere Optionen

SMBT3946DW1T1G

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • Discrete & Power Modules > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors