Datasheet ON Semiconductor BD139 — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieBD139

SiC-Module, Halbbrücke 2-PACK 1200 V, 6 mohm SiC-MOSFET, F2-Gehäuse

Datenblätter

Datasheet BD135G, BD137G, BD139G
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1.5 A POWER TRANSISTORS NPN SILICON 45, 60, 80 V, 12.5 W
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Datasheet BD135G, BD137G, BD139G
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Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors
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Preise

Detaillierte Beschreibung

Das NXH006P120MNF2 ist ein Halbbrücken- oder 2-PACK-SiC-Modul mit 2 6-mohm 1200-V-SiC-MOSFET-Schaltern und einem Thermistor in einem F2-Gehäuse.

Die SiC-MOSFET-Schalter verwenden die M1-Technologie und werden mit 18V-20V Gate-Ansteuerung angesteuert.

Andere Optionen

BD135 BD137

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • Discretes & Drivers > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors