Datasheet ON Semiconductor BD139 — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieBD139

SiC-Module, Halbbrücke 2-PACK 1200 V, 6 mohm SiC-MOSFET, F2-Gehäuse

Datenblätter

Datasheet BD139
PDF, 137 Kb, Sprache: en, Revision: 17, Datei hochgeladen: Mar 29, 2021, Seiten: 5
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
Auszug aus dem Dokument
Datasheet BD135G, BD137G, BD139G
PDF, 82 Kb, Sprache: en, Revision: 17, Datei hochgeladen: Sep 5, 2018, Seiten: 4
Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Das NXH006P120MNF2 ist ein Halbbrücken- oder 2-PACK-SiC-Modul mit 2 6-mohm 1200-V-SiC-MOSFET-Schaltern und einem Thermistor in einem F2-Gehäuse.

Die SiC-MOSFET-Schalter verwenden die M1-Technologie und werden mit 18V-20V Gate-Ansteuerung angesteuert.

Andere Optionen

BD135 BD137

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • Discretes & Drivers > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors