Datasheet Renesas HIP2211 — Datenblatt

HerstellerRenesas
SerieHIP2211

100 V, 3A-Quelle, 4A-Senke, Hochfrequenz-Halbbrückentreiber mit HI / LI-Eingang und einstellbarer Totzeit

Datenblätter

Datasheet HIP2210, HIP2211
PDF, 608 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Jul 2, 2020, Seiten: 28
100V, 3A Source, 4A Sink, High Frequency Half-Bridge Drivers with Tri-Level PWM Input and Adjustable Dead Time
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Preise

Detaillierte Beschreibung

Der HIP2211 ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber mit 100 V, 3 A-Quelle und 4 A-Senke.

Der HIP2211 verfügt über Standard-HI / LI-Eingänge und ist Pin-kompatibel mit gängigen Renesas-Brückentreibern wie dem HIP2101 und dem ISL2111. Der breite Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis 18 V und die integrierte High-Side-Bootstrap-Diode unterstützen die Ansteuerung des High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen.

Dieser Treiber verfügt über eine starke 3A-Quelle, einen 4A-Senkentreiber mit einer sehr schnellen typischen Ausbreitungsverzögerung von 15 ns und einer typischen Verzögerungsanpassung von 2 ns, was ihn für Hochfrequenzschaltanwendungen optimal macht. VDD und Boot UVLO schützen vor Unterspannungsbetrieb.

Der HIP2211 wird in 8 Ld SOIC-, 8 Ld 4x4 mm DFN- und 10 Ld 4x4 mm TDFN-Paketen angeboten.

Andere Optionen

HIP2210

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Herstellerklassifikation