Datasheet Rohm SCT3160KLGC11 — Datenblatt

HerstellerRohm
SerieSCT3160KL
ArtikelnummerSCT3160KLGC11
Datasheet Rohm SCT3160KLGC11

Nch-Siliciumcarbid (SiC) -MOSFET

Datenblätter

Datasheet SCT3160KL
PDF, 716 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Jan 18, 2020, Seiten: 13
N-channel SiC power MOSFET
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

SCT3160KL ist ein SiC-Graben-MOSFET (Siliziumkarbid).

Zu den Merkmalen gehören Hochspannungswiderstand, niedriger Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Modellreihe

Serie: SCT3160KL (1)
  • SCT3160KLGC11

Herstellerklassifikation

  • SiC Power Devices > SiC MOSFETs