Datasheet Toshiba 2SC5200-O(S1,F — Datenblatt

HerstellerToshiba
Serie2SC5200
Artikelnummer2SC5200-O(S1,F
Datasheet Toshiba 2SC5200-O(S1,F

Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen

Datenblätter

Datasheet 2SC5200
PDF, 208 Kb, Sprache: en, Datei veröffentlicht: Jan, 2016, Seiten: 5
Silicon NPN Triple Diffused Type
Auszug aus dem Dokument

Preise

Verpackung

Manufacture Package CodeTO-3P(L)

Parameter

Application ScopeAudio amplifier output stage 100-W
Assembly basesChina / Japan
Collector Emitter Saturation Voltage (Max) [IB=800mA
IC=8A]
3.0 Ⅴ
Complementary Product2SA1943
DC Current Gain hFE (Max) [IC=1A
VCE=5V]
160 -
DC Current Gain hFE (Min) [IC=1A
VCE=5V]
55 -
PolarityNPN
Transition frequency (Typ.) [IC=1A
VCE=5V]
30 MHz

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: 2SC5200 (1)
  • 2SC5200-O(S1,F

Herstellerklassifikation

  • Bipolar Transistors > Bipolar Transistors

Andere Namen:

2SC5200O(S1,F, 2SC5200 O(S1,F, 2SC5200-O(S1F, 2SC5200-O(S1 F