Datasheet ON Semiconductor SBC856BDW1T1G — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieBC856B
ArtikelnummerSBC856BDW1T1G

Dual PNP Bipolartransistor

Datenblätter

Datasheet BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G, BC857BDW1T1G, SBC857BDW1T1G, BC858CDW1T1G
PDF, 85 Kb, Sprache: en, Revision: 10, Datei hochgeladen: Jul 8, 2019, Seiten: 7
Dual PNP Bipolar Transistor
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Der Dual-PNP-Bipolartransistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.

Es ist im SOT-363 / SC-88 untergebracht, der für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringem Stromverbrauch ausgelegt ist.

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

Verpackung

PackageSC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
Package Code419B-02

Öko-Plan

ComplianceAEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free

Andere Optionen

BC857BDW1 BC858CDW1

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors