Datasheet Diodes DGTD65T40S2PT — Datenblatt
| Hersteller | Diodes |
| Serie | DGTD65T40S2PT |
| Artikelnummer | DGTD65T40S2PT |
650V Field Stop IGBT In TO247
Datenblätter
Datasheet DGTD65T40S2PT
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650V Field Stop IGBT In TO247
650V Field Stop IGBT In TO247
Auszug aus dem Dokument
Detaillierte Beschreibung
Der DGTD65T40S2PT wird mit der fortschrittlichen Field Stop Trench IGBT-Technologie hergestellt, die eine hervorragende Qualität und eine hohe Schaltleistung bietet.
Parameter
| IGBT Type | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 230 W |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 60 nC |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Operating Temperature | -40~175 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3  |
| Product Status | Obsolete |
| Packaging | Tube |
Verpackung
| Package | TO247 (Type MC) |
Parameter
| Anti Parallel Diode | Yes |
| EOFF typ @ +25°C | 0.4 mJ |
| EON typ @ +25°C | 0.5 mJ |
| IC @ +100°C | 40 A |
| IC @ +25°C | 80 A |
| Power Dissipation @ TC = +25°C | 230 W |
| VCE(sat) max @ +25°C | 2.3 V |
| VCE(sat) typ @ +25°C | 1.8 V |
| VCES | 650 V |
Herstellerklassifikation
- Discrete > IGBTs