Datasheet Texas Instruments CSD87503Q3ET — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD87503Q3E
ArtikelnummerCSD87503Q3ET
Datasheet Texas Instruments CSD87503Q3ET

30-V-Dual-N-Kanal-MOSFET, gemeinsame Quelle 8-VSON -55 bis 150

Datenblätter

CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 480 Kb, Datei veröffentlicht: Sep 13, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin8
Package TypeDTD
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking87503E
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationDual Common Source
ID, package limited10 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)89 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ13.4 nC
QGD Typ5.8 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V17.3 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V16.9 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V21.9 mOhms
VDS30 V
VGS20 V
VGSTH Typ1.7 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: CSD87503Q3E (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor