Datasheet Texas Instruments CSD17318Q2T — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD17318Q2
ArtikelnummerCSD17318Q2T
Datasheet Texas Instruments CSD17318Q2T

30-V-N-Kanal-NexFET ™ -Leistungs-MOSFET 6-WSON -55 bis 150

Datenblätter

CSD17318Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 941 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Jul 18, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin6
Package TypeDQK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking1718
Width (mm)2
Length (mm)2
Thickness (mm).75
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC25 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)68 A
PackageSON2x2 mm
QG Typ6.0 nC
QGD Typ1.3 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V13.9 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V16.9 mOhms
VDS30 V
VGS10 V
VGSTH Typ0.9 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: CSD17318Q2 (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor