Datasheet Microchip VN2106 — Datenblatt
| Hersteller | Microchip |
| Serie | VN2106 |
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Datenblätter
VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revision: 12-23-2008
Auszug aus dem Dokument
Status
| VN2106N3-G | |
|---|---|
| Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
| VN2106N3-G | |
|---|---|
| N | 1 |
| Package | TO-92 |
| Pins | 3 |
Parameter
| Parameters / Models | VN2106N3-G |
|---|---|
| BVdss min, V | 60 |
| CISSmax, pF | 50 |
| Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 |
| Rds, on) max | 4.0 |
| Vgs(th) max, V | 2.4 |
Öko-Plan
| VN2106N3-G | |
|---|---|
| RoHS | Compliant |
Modellreihe
Serie: VN2106 (1)