Datasheet Microchip VN2106N3-G — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieVN2106
ArtikelnummerVN2106N3-G

Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

VN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 474 Kb, Revision: 12-23-2008
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageTO-92
Pins3

Parameter

BVdss min60 V
CISSmax50 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds4.0 on) max
Vgs(th) max2.4 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: VN2106 (1)
  • VN2106N3-G

Andere Namen:

VN2106N3G, VN2106N3 G