Datasheet Microchip TN0110 — Datenblatt
Hersteller | Microchip |
Serie | TN0110 |
Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Datenblätter
TN0110 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 622 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 | |
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Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 | |
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N | 1 | 2 |
Package | TO-92 | TO-92 |
Pins | 3 | 3 |
Parameter
Parameters / Models | TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 |
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BVdss min, V | 100 | 100 |
CISSmax, pF | 60 | 60 |
Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 | -55 to +150 |
Rds, on) max | 3.0 | 3.0 |
Vgs(th) max, V | 2.0 | 2.0 |
Öko-Plan
TN0110N3-G | TN0110N3-G-P002 | |
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RoHS | Compliant | Compliant |
Modellreihe
Serie: TN0110 (2)