Datasheet Microchip TN0110N3-G-P002 — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieTN0110
ArtikelnummerTN0110N3-G-P002

Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

TN0110 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 622 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageTO-92
Pins3

Parameter

BVdss min100 V
CISSmax60 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds3.0 on) max
Vgs(th) max2.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: TN0110 (2)

Andere Namen:

TN0110N3GP002, TN0110N3 G P002