Datasheet Microchip DN3765K4-G — Datenblatt
| Hersteller | Microchip |
| Serie | DN3765 |
| Artikelnummer | DN3765K4-G |
Dieser Transistor im Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet) verwendet eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Datenblätter
Datasheet DN3765
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N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
| Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
| Package | DPAK |
Parameter
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 650 V |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 8 Ω |
| Vgs(off) max | -3.5 V |
| Vgs(off) min | -1.5 V |
Modellreihe
Serie: DN3765 (1)
- DN3765K4-G
Herstellerklassifikation
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Andere Namen:
DN3765K4G, DN3765K4 G