Datasheet Texas Instruments CSD16327Q3T — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD16327Q3
ArtikelnummerCSD16327Q3T
Datasheet Texas Instruments CSD16327Q3T

N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 419 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Sep 28, 2016
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD16327
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)112 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ6.2 nC
QGD Typ1.1 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V4 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V4.8 mOhms
VDS25 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.2 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Modellreihe

Serie: CSD16327Q3 (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor