Datasheet Texas Instruments CSD18536KTTT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD18536KTT
ArtikelnummerCSD18536KTTT
Datasheet Texas Instruments CSD18536KTTT

60 V, N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET 3-DDPAK / TO-263 -55 bis 175

Datenblätter

CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 413 Kb, Datei veröffentlicht: Mar 10, 2016
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin3
Package TypeKTT
Industry STD TermTO-263
JEDEC CodeR-PSFM-G
Package QTY50
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD18536KTT
Width (mm)8.41
Length (mm)10.18
Thickness (mm)4.44
Pitch (mm)2.54
Max Height (mm)4.83
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC349 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageD2PAK mm
QG Typ108 nC
QGD Typ14 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V1.7 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V1.6 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V2.2 mOhms
VDS60 V
VGS20 V
VGSTH Typ1.8 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Modellreihe

Serie: CSD18536KTT (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor