Datasheet Texas Instruments CSD17313Q2T — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD17313Q2
ArtikelnummerCSD17313Q2T
Datasheet Texas Instruments CSD17313Q2T

30 V N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 6-WSON -55 bis 150

Datenblätter

CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 406 Kb, Revision: E, Datei veröffentlicht: Sep 30, 2015
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin6
Package TypeDQK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking1733
Width (mm)2
Length (mm)2
Thickness (mm).75
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)20 A
PackageSON2x2 mm
QG Typ2.1 nC
QGD Typ0.4 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V26 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V32 mOhms
VDS30 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.3 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Design Kits und Evaluierungsmodule

  • Evaluation Modules & Boards: TMDSCSK8127
    TMS320DM8127 Camera Starter Kit (CSK)
    Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)
  • Evaluation Modules & Boards: TMDSCSK388
    DM38x Camera Starter Kit (CSK)
    Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)

Anwendungshinweise

  • Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6X5C
    PDF, 27 Kb, Datei veröffentlicht: Jun 29, 2011
    Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6x5x
  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Modellreihe

Serie: CSD17313Q2 (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor