Datasheet Texas Instruments CSD18509Q5BT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD18509Q5B
ArtikelnummerCSD18509Q5BT
Datasheet Texas Instruments CSD18509Q5BT

40 V, N-Kanal-NexFET ™ -Leistungs-MOSFET, CSD18509Q5B 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

CSD18509Q5B N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 492 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: May 19, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin8
Package TypeDNK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device MarkingCSD18509
Width (mm)6
Length (mm)5
Thickness (mm).95
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC299 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)400 A
PackageSON5x6 mm
QG Typ150 nC
QGD Typ17 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V1.3 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V1.2 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V1.7 mOhms
VDS40 V
VGS20 V
VGSTH Typ1.9 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Modellreihe

Serie: CSD18509Q5B (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor