Datasheet Texas Instruments CSD17570Q5BT — Datenblatt
Hersteller | Texas Instruments |
Serie | CSD17570Q5B |
Artikelnummer | CSD17570Q5BT |
30-V-N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET, CSD17570Q5B 8-VSON-CLIP
Datenblätter
CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 675 Kb, Revision: D, Datei veröffentlicht: May 18, 2017
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Manufacture's Sample Availability | No |
Verpackung
Pin | 8 |
Package Type | DNK |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Device Marking | CSD17570 |
Width (mm) | 6 |
Length (mm) | 5 |
Thickness (mm) | .95 |
Mechanical Data | Herunterladen |
Parameter
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 407 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Package | SON5x6 mm |
QG Typ | 93 nC |
QGD Typ | 34 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 0.74 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=10V | 0.69 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 0.92 mOhms |
VDS | 30 V |
VGS | 20 V |
VGSTH Typ | 1.5 V |
Öko-Plan
RoHS | Compliant |
Pb Free | Yes |
Anwendungshinweise
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011
Modellreihe
Serie: CSD17570Q5B (2)
- CSD17570Q5B CSD17570Q5BT
Herstellerklassifikation
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor