Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E-ASY — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD87312Q3E
ArtikelnummerCSD87312Q3E-ASY
Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E-ASY

Zwei 30-V-N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFETs 8-VSON -55 bis 150

Datenblätter

Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Kb, Datei veröffentlicht: Nov 19, 2011
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusPreview (Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin8
Package TypeDPB
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm).9
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

Approx. Price (US$)0.35 | 1ku
ConfigurationDual Common Source
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A)45
Package (mm)SON3x3
QG Typ(nC)6.3
QGD Typ(nC)0.7
RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm)31
Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms)38
VDS(V)30
VGS(V)10
VGSTH Typ(V)1

Öko-Plan

RoHSNot Compliant
Pb FreeNo

Modellreihe

Serie: CSD87312Q3E (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor

Andere Namen:

CSD87312Q3EASY, CSD87312Q3E ASY