Datasheet Texas Instruments CSD19533Q5A — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD19533Q5A
ArtikelnummerCSD19533Q5A
Datasheet Texas Instruments CSD19533Q5A

100 V, 7,8 mOhm, SON5x6 N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSONP -55 bis 150

Datenblätter

CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 768 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: May 23, 2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin8
Package TypeDQJ
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD19533
Width (mm)6
Length (mm)4.9
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC75 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)231 A
PackageSON5x6 mm
QG Typ27 nC
QGD Typ4.9 nC
Rds(on) Max at VGS=10V9.5 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ2.8 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Modellreihe

Serie: CSD19533Q5A (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor