Datasheet Texas Instruments CSD19538Q3AT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD19538Q3A
ArtikelnummerCSD19538Q3AT
Datasheet Texas Instruments CSD19538Q3AT

100 V N-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET 8-VSONP -55 bis 150

Datenblätter

CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 352 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Mar 20, 2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin8
Package TypeDNH
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking19538
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm).8
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC13.7 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)36 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ4.3 nC
QGD Typ0.8 nC
Rds(on) Max at VGS=10V61 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ3.2 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Modellreihe

Serie: CSD19538Q3A (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor