Datasheet Texas Instruments CSD13306WT — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD13306W
ArtikelnummerCSD13306WT
Datasheet Texas Instruments CSD13306WT

CSD13306W 12-V-N-Kanal-NexFET ™ -Leistungs-MOSFET 6-DSBGA

Datenblätter

CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 611 Kb, Datei veröffentlicht: Mar 16, 2015
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin6
Package TypeYZC
Industry STD TermDSBGA
JEDEC CodeR-XBGA-N
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking13306
Width (mm)1.8
Length (mm)1.5
Thickness (mm)2
Pitch (mm).5
Max Height (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)44 A
PackageWLP 1.0x1.5 mm
QG Typ8.6 nC
QGD Typ3.0 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V8.8 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V10.2 mOhms
VDS12 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: CSD13306W (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor