Datasheet Texas Instruments CSD85301Q2T — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD85301Q2
ArtikelnummerCSD85301Q2T
Datasheet Texas Instruments CSD85301Q2T

CSD85301Q2 Dual-N-Kanal-NexFET ™ -Leistungs-MOSFET 6-WSON

Datenblätter

CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 1.2 Mb, Datei veröffentlicht: Dec 17, 2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityNo

Verpackung

Pin6
Package TypeDQK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking8531
Width (mm)2
Length (mm)2
Thickness (mm).75
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationDual
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)26 A
PackageSON2x2 mm
QG Typ4.2 nC
QGD Typ1 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V23 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V27 mOhms
VDS20 V
VGS10 V
VGSTH Typ0.9 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: CSD85301Q2 (2)

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor