Datasheets - Infrarotstrahler - 2
Unterabschnitt: "Infrarotstrahler"
Suchergebnisse: 42 Ausgabe: 21-40
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Hochleistungs-Infrarotstrahler mit konstruierter Primäroptik für hohe Effizienz und Strahlsteuerung Die LUXEON IR Domed Line Hochleistungs-Infrarotstrahler sind auf die Anwendungsanforderungen zugeschnitten, indem sie eine Vielzahl von Produkten ...- Hochleistungs-Infrarotstrahler mit konstruierter Primäroptik für hohe Effizienz und Strahlsteuerung Die LUXEON IR Domed Line Hochleistungs-Infrarotstrahler sind auf die Anwendungsanforderungen zugeschnitten, indem sie eine Vielzahl von Produkten ...
- Hochleistungs-Infrarotstrahler mit konstruierter Primäroptik für hohe Effizienz und Strahlsteuerung Die LUXEON IR Domed Line Hochleistungs-Infrarotstrahler sind auf die Anwendungsanforderungen zugeschnitten, indem sie eine Vielzahl von Produkten ...
- Hochleistungs-Infrarotstrahler mit konstruierter Primäroptik für hohe Effizienz und Strahlsteuerung Die LUXEON IR Domed Line Hochleistungs-Infrarotstrahler sind auf die Anwendungsanforderungen zugeschnitten, indem sie eine Vielzahl von Produkten ...
- Hochleistungs-Infrarotstrahler mit konstruierter Primäroptik für hohe Effizienz und Strahlsteuerung Die LUXEON IR Domed Line Hochleistungs-Infrarotstrahler sind auf die Anwendungsanforderungen zugeschnitten, indem sie eine Vielzahl von Produkten ...
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Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Emittendioden, 940 nm, Oberflächenemittertechnologie Eigenschaften Verpackungsart: Aufputzmontage Paketform: 0805 Abmessungen (L x B x H in mm): 2 x 1,25 x 0,8
Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Emittendioden, 890 nm, Oberflächenemittertechnologie Eigenschaften Verpackungsart: Aufputzmontage Paketform: 0805 Abmessungen (L x B x H in mm): 2 x 1,25 x 0,8- Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Emittendioden, 850 nm, Oberflächenemittertechnologie Eigenschaften Verpackungsart: Aufputzmontage Paketform: 0805 Abmessungen (L x B x H in mm): 2 x 1,25 x 0,8
AlGaAs Infrarot-Emissionsdiode Der SEP8706 ist eine Aluminium-Galliumarsenid-Infrarot-Emissionsdiode, die in einem seitlich emittierenden rauchgrauen Kunststoffgehäuse geformt ist. Der Chip ist so positioniert, dass er Strahlung durch eine ...- AlGaAs Infrarot-Emissionsdiode Der SEP8706 ist eine Aluminium-Galliumarsenid-Infrarot-Emissionsdiode, die in einem seitlich emittierenden rauchgrauen Kunststoffgehäuse geformt ist. Der Chip ist so positioniert, dass er Strahlung durch eine ...
- AlGaAs Infrarot-Emissionsdiode Der SEP8706 ist eine Aluminium-Galliumarsenid-Infrarot-Emissionsdiode, die in einem seitlich emittierenden rauchgrauen Kunststoffgehäuse geformt ist. Der Chip ist so positioniert, dass er Strahlung durch eine ...
- AlGaAs Infrarot-Emissionsdiode Der SEP8706 ist eine Aluminium-Galliumarsenid-Infrarot-Emissionsdiode, die in einem seitlich emittierenden rauchgrauen Kunststoffgehäuse geformt ist. Der Chip ist so positioniert, dass er Strahlung durch eine ...
Infrarotemitter (850 nm) Radial T1 3/4- Infrarotemitter (850 nm) Radial T1 3/4
- Infrarotemitter (850 nm) Radial T1 3/4
- Infrarotemitter (850 nm) Radial T1 3/4
- GaAs-Infrarot-Emitter SFH409
- GaAs-Infrarot-Emitter SFH409
- GaAs-Infrarot-Emitter SFH409