Datasheets - - 10
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600 W unidirektionaler Überspannungsschutz
2,55 A Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,55 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix ...
3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3006G- 3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3005G
- 3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3004G
- 3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3003G
- 3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3002G
- 3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3001G
- 3,0-A-Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung NRND = Nicht empfohlen für neue Designs / Veraltet Verwenden Sie PR3007G
Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- PNP-Epitaxial-Siliziumtransistor im TO-92-Gehäuse
- 2,6-A-Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,6 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix „–HR“ ...
- 2,6-A-Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,6 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix „–HR“ ...
- 2,6-A-Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,6 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix „–HR“ ...
- 2,6-A-Silizium-Gleichrichter Dieser Silizium-Gleichrichter ist in einem TO-126-Gehäuse untergebracht, das einen durchschnittlichen Durchlassstrom von 2,6 A aufweist. Verfügbar als hochzuverlässiges Gerät gemäß MIL-PRF-19500. Bitte das Suffix „–HR“ ...