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Automotive N-Kanal 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P-Kanal 100-V (DS) MOSFET Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 verfügbar. TrenchFET-Leistungs-MOSFET
CdS-Fotowiderstand Ein Fotowiderstand ist ein Widerstand aus Halbleitermaterial, dessen Leitfähigkeit sich mit der Helligkeit ändert. Je nach dieser Eigenschaft kann der Fotowiderstand mit unterschiedlichen Formen und Leuchtflächen hergestellt ...- Verbesserter 16-Kanal-LED-Treiber mit DOT-Korrektur und Graustufen-PWM-Steuerung 28-HTSSOP -40 bis 125
Einzelner N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench MOSFET 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Dieser einzelne N-Kanal-MOSFET wurde unter Verwendung eines fortschrittlichen Power-Trench-Prozesses entwickelt, um den RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen ...
Schottky Diese Ergänzung der Zetex Low Leakage Schottky-Diodenreihe ist im SOD523-Gehäuse untergebracht und bietet eine ideale niedrige VF/IR-Leistung in Kombination mit einer geringen Gehäusehöhe von 0,9 mm, wodurch das Gerät für verschiedene ...
Schottky- Dieser Schottky-Gleichrichter wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er eignet sich ideal für den Einsatz als Verpolungsschutzdiode, Umlaufdiode und Schaltdiode.
- Schottky
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Automotive I2C-Bus/SPI zu UART Bridge Controller mit 64 Bytes TX/RX FIFOs Der PI7C9X762Q ist ein I2C-Bus/SPI-zu-Zweikanal-Hochleistungs-UART-Brückencontroller. Er bietet Datenraten von bis zu 33 Mbit/s und garantiert einen niedrigen Betriebs- und ...
50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im LGA8L-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53464 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der hohe ...- Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im TSSOP8-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53466 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der ...
Dualer N-Kanal 30-V (DS) MOSFET
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.