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- Silizium-NPN-Leistungstransistoren im TO-220-Gehäuse
- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse
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- Komplementäre PNP-Leistungstransistoren aus Siliziumplastik
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- Komplementäre NPN-Siliziumplastik-Leistungstransistoren
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- Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Dynamische dV/dt-Bewertung P-Kanal Schnelles Umschalten
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
- Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren BD909 und BD911 sind Silizium-Epitaxial-Base-NPN-Leistungstransistoren in Jedec-TO-220-Kunststoffgehäusen. Sie sind für den Einsatz in linearen Leistungs- und Schaltanwendungen vorgesehen. Die ...
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