Datasheets

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Suchergebnisse: 17 Ausgabe: 1-17

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  1. Datasheet Nexperia PMV30UN,215
    N-Kanal-TrenchMOS-FET mit extrem niedrigem Pegel im SOT23-Gehäuse Extrem stromsparender N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) im Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist ausschließlich für Anwendungen in den ...
  2. Datasheet Vishay Si2333DS-T1-E3
    P-Kanal 12-V (DS) MOSFET im SOT-23 (TO-236) Gehäuse
  1. Datasheet Youtai SI2310A
    60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse
  2. Datasheet Diodes ZXM61P03FTA
    30V P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT23-Gehäuse
  3. Datasheet ON Semiconductor FDN360P
    PowerTrench Single P-Channel MOSFET im SOT-23-Gehäuse Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird in einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das speziell darauf ausgelegt ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ...
  4. Datasheet Infineon BSS316NH6327XTSA1
    N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
  5. Datasheet ON Semiconductor MMBFJ113
    N-Kanal-Schalter im SOT-23-Gehäuse Dieses Gerät ist für analoge Schaltvorgänge mit niedrigem Pegel, Abtast- und Halteschaltungen sowie Chopper-stabilisierte Verstärker ausgelegt.
  6. Datasheet ON Semiconductor MMBFJ112
    N-Kanal-Schalter im SOT-23-Gehäuse Dieses Gerät ist für analoge Schaltvorgänge mit niedrigem Pegel, Abtast- und Halteschaltungen sowie Chopper-stabilisierte Verstärker ausgelegt.
  7. Datasheet ON Semiconductor MMBFJ111
    N-Kanal-Schalter im SOT-23-Gehäuse Dieses Gerät ist für analoge Schaltvorgänge mit niedrigem Pegel, Abtast- und Halteschaltungen sowie Chopper-stabilisierte Verstärker ausgelegt.
  8. Datasheet STMicroelectronics SMDB3
    DIAC Die DB3/DB4-Serie fungiert als Triggerdiode mit fester Spannungsreferenz und kann in Verbindung mit Triacs für vereinfachte Gate-Steuerschaltungen oder als Anlaufelement in Vorschaltgeräten für Leuchtstofflampen verwendet werden. Das ...
  9. Datasheet Central Semiconductor CMPZ5245B TR PBFREE
    15 V, 350 mW SMD-Zenerdiode im SOT-23-Gehäuse
  10. Datasheet NXP PMV65XP
    20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
  11. Datasheet Fairchild MMBFJ202
    N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse
  12. Datasheet Fairchild MMBFJ201
    N-Kanal-Allzweckverstärker im SOT-23-Gehäuse
  13. Datasheet Kexin 2SC3134
    NPN-Transistor im SOT-23-Gehäuse Ergänzend zu 2SA1252
  14. Package SOT-23-3
    3-poliges Kunststoffgehäuse
  15. Datasheet Texas Instruments LM4040AIM3-2.5
    Precision Micropower Shunt Spannungsreferenz 3-SOT-23