Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren Nexperia
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
Hersteller: "Nexperia"
Hersteller
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BC807 BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC817 BC817-16 BC817-25 BC817-40 BC817DPN BC847BPN BCV61 BCV61A BCV61B BCV61C BCV62 BCX53 BF820 MMBT3906 MMBTA42 MMBTA92 NCR320PAS NCR321PAS NCR420PAS NCR421PAS PDTC143TT PDTC143Z PEMD12 PUMD12 TLVH431NAIDBZR TLVH431NAMQDBZR TLVH431NAQDBZR TLVH431NMQDBZR TLVH431NQDBZRSuchergebnisse: 33 Ausgabe: 1-20
Aussicht: Aufführen / Bilder
- NPN-Hochspannungstransistor NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
- Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
- Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
- Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände.
- Spannungsreferenzen Nexperia TLVH431NAQDBZR TLVH431NAQDBZRVL
Bipolare Einzeltransistoren Nexperia TLVH431NAQDBZR
Einstellbare Präzisions-Shunt-Regler Dreipolige Shunt-Reglerfamilie mit einem Ausgangsspannungsbereich zwischen V ref = 1,24 V und 14 V, einstellbar über zwei externe Widerstände. - 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA NPN-Allzwecktransistoren NPN-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- 45 V, 500 mA PNP-Allzwecktransistoren PNP-Allzwecktransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse.
- PNP-Allzweck-Doppeltransistoren
50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).- 50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).
80 V, 1 A PNP-Mittelleistungstransistor PNP-Transistor mittlerer Leistung in einem SOT89-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). NPN-Ergänzung: BCX56.- NPN-Hochspannungstransistoren NPN-Hochspannungstransistor in einem kleinen SOT23-Kunststoffgehäuse.
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