Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Infineon
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Infineon"
Hersteller
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- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
- -55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse
- 400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
100-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Die IR-MOSFET-Familie der Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie ...- 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
- 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
Alle Small Signal n-Kanal-Produkte sind für Automobilanwendungen geeignet (ausgenommen 2N7002).
30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8 Gehäuse- -20 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse
Ein 40-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität in einem DirectFET-SC-Gehäuse mit einer Nennleistung von 58 Ampere und geringem Widerstand
150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MZ package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance ...
100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ SH package for Audio The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with industry leading RDS(on) The IQE013N04LM6CG extends the innovative Source-Down family with the 1.35mOhm, OptiMOS™ power MOSFET 40V in a 3.3x3.3 PQFN ...
OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading R DS(on) Infineon has extended its innovative Source-Down family with the IQE013N04LM6 1.35mOhm, 40V in a 3.3x3.3 PQFN package. This best-in-class power ...
Automotive Q101 55V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Paket
55V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse
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