Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Infineon
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Infineon"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon Wolfspeed YoutaiSerie
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55-V-N-Kanal-IR-MOSFET im SOT-223-Gehäuse- 55-V-N-Kanal-IR-MOSFET im SOT-223-Gehäuse
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
-55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse- 400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
100-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Die IR-MOSFET-Familie der Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie ...- 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
Alle Small Signal n-Kanal-Produkte sind für Automobilanwendungen geeignet (ausgenommen 2N7002).
30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8 Gehäuse- -20 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse
Ein 40-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität in einem DirectFET-SC-Gehäuse mit einer Nennleistung von 58 Ampere und geringem Widerstand- 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MZ package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance ...
100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ SH package for Audio The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
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