Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Infineon - 2
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Infineon"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon Wolfspeed YoutaiSerie
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Aussicht: Aufführen / Bilder
55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with industry leading RDS(on) The IQE013N04LM6CG extends the innovative Source-Down family with the 1.35mOhm, OptiMOS™ power MOSFET 40V in a 3.3x3.3 PQFN ...
OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 40V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading R DS(on) Infineon has extended its innovative Source-Down family with the IQE013N04LM6 1.35mOhm, 40V in a 3.3x3.3 PQFN package. This best-in-class power ...
Automotive Q101 55V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Paket- 55V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse
- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
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20-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN 3.3 x 3.3-Gehäuse
MOSFET N-Ch 60 V 30 A TO220-3
MOSFET N-Ch 200 V 30 A D2PAK-2- Galliumnitrid CoolGaN ™ 600 V E-Mode-Leistungstransistor IGLD60R190D1 für ultimative Effizienz und Zuverlässigkeit
Galliumnitrid CoolGaN ™ 400-V-Leistungstransistor IGT40R070D1E8220 für ultimative Effizienz und Zuverlässigkeit
- 3-stufiges 1200 V CoolSiC ™ -Modul
- HEXFET-Leistungs-MOSFET
- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
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