Datasheet Texas Instruments CSD16409Q3 — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD16409Q3
ArtikelnummerCSD16409Q3
Datasheet Texas Instruments CSD16409Q3

N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD16409Q3 datasheet
PDF, 196 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: May 21, 2010
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD16409
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)90 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ4 nC
QGD Typ1 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V9.5 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V8.2 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V12.4 mOhms
VDS25 V
VGS16 V
VGSTH Typ2 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor