Datasheet JX Semiconductor JX3S0040R120MC — Datenblatt
| Hersteller | JX Semiconductor |
| Serie | JX3S0040R120MC |
| Artikelnummer | JX3S0040R120MC |
1200 V, 40 Ohm, Siliziumkarbid-MOSFET im TO-247-3L-Gehäuse
Datenblätter
Datasheet JX3S0020120M
PDF, 813 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Oct 11, 2026, Seiten: 10
1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
1200V, 40 Ohm, Silicon Carbide MOSFET in TO-247-3L package
Auszug aus dem Dokument
Detaillierte Beschreibung
Der SiC-MOSFET der Serie JX-MT3 im TO-247-3L-Gehäuse gewährleistet einen stabilen Hochtemperaturbetrieb für leistungsdichte und energiekritische Systeme und ermöglicht kompakte Designs mit reduzierter elektromagnetischer Interferenz.
Herstellerklassifikation
- Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor