Datasheet Renesas TP65B110HRU — Datenblatt
| Hersteller | Renesas |
| Serie | TP65B110HRU |
650 V 110 mΩ Hochspannungs-GaN-Bidirektionalschalter im TOLT-Gehäuse
Datenblätter
Datasheet TP65B110HRU
PDF, 1.6 Mb, Sprache: en, Datei hochgeladen: May 21, 2026, Seiten: 15
650V 110mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch in TOLT Package
650V 110mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch in TOLT Package
Auszug aus dem Dokument
Detaillierte Beschreibung
Der TP65B110HRU ist ein bidirektionaler 650-V-110-mΩ-Common-Drain-Schalter (BDS) auf Basis der bidirektionalen SuperGaN-Gen-I-Plattform von Renesas.
Er leitet Strom und sperrt Spannung in beide Richtungen und zeichnet sich durch seine minimale Baugröße und erstklassige Schaltgüte aus. Das Bauteil kombiniert monolithisches, bidirektionales Hochvolt-GaN im Verarmungsmodus mit normalerweise gesperrten Niedervolt-Silizium-MOSFETs und bietet so überragende Leistung, hohe Schwellenspannung für Standard-Gate-Treiber-Kompatibilität, einfache Integration und hohe Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Leistungsanwendungen.
Modellreihe
Serie: TP65B110HRU (1)
Herstellerklassifikation
- Power Discretes > GaN Power Discretes // Integrated Circuits (ICs) > Power Management (PMIC) > Power Distribution Switches, Load Drivers