Datasheet Fortune Semiconductor FS8205A — Datenblatt

Hersteller	Fortune Semiconductor
Serie	FS8205A
Artikelnummer	FS8205A

Dualer N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET

Datenblätter

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PDF, 775 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Jun 3, 2025, Seiten: 6
Dual N-Channel Power MOSFET

Auszug aus dem Dokument

Detaillierte Beschreibung

Bei fortschrittlichen Leistungs-MOSFETs kommen fortschrittliche Verarbeitungstechniken zum Einsatz, um einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie ein äußerst effizientes und kostengünstiges Gerät zu erreichen, das sich am besten für den Lade- und Entladeschalter von Lithium-Ionen-Batterien eignet.

Das TSSOP8-Gehäuse wird universell für alle gewerblich-industriellen Anwendungen eingesetzt.

Merkmale:

• Niedriger Einschaltwiderstand
• RDS(EIN) = 27 mΩ MAX.

(VGS = 4,5 V, ID = 6 A)
• RDS(EIN) = 35 mΩ MAX. (VGS = 2,5 V, ID = 5 A)
• Gemeinsamer Abflusstyp

Herstellerklassifikation

MOSFETs Arrays