Datasheet ON Semiconductor BSS123−G — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieBSS123
ArtikelnummerBSS123−G

N-Kanal-Logikpegel-Anhebungsmodus-Feldeffekttransistor 100 V, 170 mA, 6 Ω

Datenblätter

Datasheet BSS123
PDF, 202 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Nov 15, 2022, Seiten: 7
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Dieser N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wird unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt.

Dieses Produkt wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu bieten. Der BSS123 eignet sich besonders für Anwendungen mit niedriger Spannung und niedrigem Strom wie kleine Servomotorsteuerung, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen .

Modellreihe

Serie: BSS123 (2)

Herstellerklassifikation

  • Discrete & Power Modules > MOSFETs