Datasheet Intersil RFD10P03LSM — Datenblatt

HerstellerIntersil
Serie10P03L
ArtikelnummerRFD10P03LSM

P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Datenblätter

Datasheet RFD10P03L, RFD10P03LSM, RFP10P03L
PDF, 145 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Aug 10, 2022, Seiten: 8
10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden.

Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale Nutzung des Siliziums, was zu einer hervorragenden Leistung führt. Sie wurden für den Einsatz in Anwendungen wie Schaltreglern, Schaltwandlern, Motortreibern und Relaistreibern entwickelt. Diese Transistoren können direkt von integrierten Schaltungen betrieben werden.

Andere Optionen

F10P03L

Modellreihe

Serie: 10P03L (2)

Herstellerklassifikation

  • Discrete & Power Modules > MOSFETs