Datasheet Analog Devices ADG636YRUZ — Datenblatt

HerstellerAnalog Devices
SerieADG636
ArtikelnummerADG636YRUZ

1 pC Ladungsinjektion, 100 pA Leckstrom, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual-SPDT-Schalter

Datenblätter

Datasheet ADG636
PDF, 505 Kb, Sprache: en, Revision: B, Datei hochgeladen: Apr 24, 2022, Seiten: 16
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

Package14-Lead TSSOP
Pins14
Package CodeRU-14

Parameter

BW -3 dB typ610M Hz
Charge Injection-1.2p C
Device Config(2:1) x 2
InterfaceParallel
Leakage Switch ON typ10p A
Operating Temperature Range-40 to 125 °C
Package14-Lead TSSOP
Switch Ron typ85 Ohms
Vs Span Dual max11 V
Vs Span Dual min5.4 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • Switches and Multiplexers > Dual-Supply Analog Switches and Multiplexers | Single-Supply Analog Switches and Multiplexers