Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICD — Datenblatt

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTGAP2SICD

Galvanisch getrennter 4-A-Dual-Gate-Treiber

Datenblätter

Datasheet STGAP2SiCD
PDF, 705 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Feb 3, 2022, Seiten: 23
Galvanically isolated 4 A dual gate driver
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Alle Features
  • Hochspannungsschiene bis 1200 V
  • Treiberstrombelastbarkeit: 4 A Senke/Quelle bei 25 °C
  • dV/dt-Transientenimmunität ±100 V/ns
  • Gesamte Eingangs-Ausgangs-Ausbreitungsverzögerung: 75 ns
  • Separate Sink- und Source-Option für eine einfache Gate-Treiberkonfiguration
  • 4 EINE Miller-KLEMME
  • UVLO-Funktion
  • Konfigurierbare Verriegelungsfunktion

Status

STGAP2SICDSTGAP2SICDTR
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

Verpackung

STGAP2SICDSTGAP2SICDTR
N12
PackageSSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 PSSOP 32 LEAD 300 MIL PKG .0315 P

Modellreihe

Serie: STGAP2SICD (2)

Herstellerklassifikation

  • Power Management > Gate Drivers > Multiple Channel Drivers