Datasheet UnitedSiC UF3C120150B7S — Datenblatt

HerstellerUnitedSiC
SerieUF3C120150B7S
ArtikelnummerUF3C120150B7S
Datasheet UnitedSiC UF3C120150B7S

1200V-150mW SiC-Kaskode

Datenblätter

Datasheet UF3C120150B7S
PDF, 420 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Jun 10, 2021, Seiten: 10
1200V-150mW SiC Cascode
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Detaillierte Beschreibung

Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen "Kaskoden"-Schaltungskonfiguration, bei der ein selbstleitender SiC-JFET mit einem Si-MOSFET zusammengepackt wird, um ein selbstsperrendes SiC-FET-Bauelement herzustellen.

Die standardmäßigen Gate-Drive-Eigenschaften des Bausteins ermöglichen einen echten „Drop-in-Ersatz“ für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bauelemente. Dieses im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Bauelement weist eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Sperrerholungseigenschaften auf, wodurch es sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Ansteuerung erfordern.

Herstellerklassifikation

  • SiC FETs