Datasheet IXYS IXTU02N50D — Datenblatt

HerstellerIXYS
SerieIXTU02N50D
ArtikelnummerIXTU02N50D
Datasheet IXYS IXTU02N50D

Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

Datenblätter

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: May 15, 2020, Seiten: 4
High VoltagePower MOSFET
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten.

Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ansonsten ähnliche MOSFET-ähnliche Eigenschaften. Sie eignen sich für Pegelverschiebungen, Halbleiterrelais, Stromregler und aktive Lasten.

Pakettyp: TO-251

Andere Optionen

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Herstellerklassifikation

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode
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