Datasheet Microchip TP0606N3-G — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieTP0604
ArtikelnummerTP0606N3-G

Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

TP0604 Datasheet - P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 642 Kb, Revision: 06-22-2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageTO-92
Pins3

Parameter

BVdss min-40 V
CISSmax150 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds2 on) max
Vgs(th) max-2.4 V

Modellreihe

Andere Namen:

TP0606N3G, TP0606N3 G