Datasheet Microchip VN0106 — Datenblatt
Hersteller | Microchip |
Serie | VN0106 |
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Datenblätter
VN0106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 650 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument
Preise
Status
VN0106N3-G | VN0106N3-G-P003 | |
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Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
Verpackung
VN0106N3-G | VN0106N3-G-P003 | |
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N | 1 | 2 |
Package | TO-92 | TO-92 |
Pins | 3 | 3 |
Parameter
Parameters / Models | VN0106N3-G | VN0106N3-G-P003 |
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BVdss min, V | 60 | 60 |
CISSmax, pF | 65 | 65 |
Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 | -55 to +150 |
Rds, on) max | 3.0 | 3.0 |
Vgs(th) max, V | 2.4 | 2.4 |
Öko-Plan
VN0106N3-G | VN0106N3-G-P003 | |
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RoHS | Compliant | Compliant |
Modellreihe
Serie: VN0106 (2)