Datasheet Microchip TN5335K1-G — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieTN5335
ArtikelnummerTN5335K1-G

Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

TN5335 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 669 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageSOT-23
Pins3

Parameter

BVdss min350 V
CISSmax110 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds15 on) max
Vgs(th) max2.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: TN5335 (2)

Andere Namen:

TN5335K1G, TN5335K1 G