Datasheet Microchip TN5325N3-G-P002 — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieTN5325
ArtikelnummerTN5325N3-G-P002

Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Data Sheet
PDF, 865 Kb, Revision: 04-05-2017
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageTO-92
Pins3

Parameter

BVdss min250 V
CISSmax110 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds7.0 on) max
Vgs(th) max2.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: TN5325 (4)

Andere Namen:

TN5325N3GP002, TN5325N3 G P002