Datasheet Microchip TN2106K1-G — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieTN2106
ArtikelnummerTN2106K1-G

Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

TN2106 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 733 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageSOT-23
Pins3

Parameter

BVdss min60 V
CISSmax50 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds2.5 on) max
Vgs(th) max2.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: TN2106 (2)

Andere Namen:

TN2106K1G, TN2106K1 G