Datasheet Microchip TN0606N3-G-P003 — Datenblatt

HerstellerMicrochip
SerieTN0606
ArtikelnummerTN0606N3-G-P003

Dieser Enhancement-Mode-Transistor mit niedriger Schwelle (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren

Datenblätter

TN0606 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 616 Kb, Revision: 06-27-2014
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusProduction (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist)

Verpackung

PackageTO-92
Pins3

Parameter

BVdss min60 V
CISSmax150 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds1.5 on) max
Vgs(th) max3.0 V

Öko-Plan

RoHSCompliant

Modellreihe

Serie: TN0606 (2)

Andere Namen:

TN0606N3GP003, TN0606N3 G P003